[发明专利]用于TFT的金属氧化物半导体的缓冲层有效
| 申请号： | 201480014434.5 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN105051906B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 柯蒂斯·莱施克斯;史蒂文·韦尔韦贝克;罗伯特·维瑟;约翰·M·怀特;彦·叶;任东吉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 tft 金属 氧化物 半导体 缓冲 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体器件，所述器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平，所述半导体层在缓冲层上；所述缓冲层，具有比所述第一功函数更大的第二功函数及比所述第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平，所述缓冲层在栅介电层上，其中所述缓冲层包括p型硅、V2O5或上述材料的组合；以及所述栅介电层，具有比所述第二功函数更小的第三功函数。
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