[发明专利]量子位与芯片模式之间的频率分离以减小普色损耗有效
| 申请号： | 201480014560.0 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105052038B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | D·W·亚伯拉罕;J·甘贝塔;J·周;A·克尔克斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H03K19/19 | 分类号： | H03K19/19 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 于静,张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种控制普色损耗的系统、方法和芯片。该芯片包括在衬底的第一表面上形成的量子位。该方法包括确定量子位的频率，以及控制量子位的频率与芯片的芯片模式频率之间的分离。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 芯片 模式 之间 频率 分离 减小 损耗 | ||
【主权项】：
一种控制在芯片的衬底的第一表面上形成的量子位的普色损耗的方法，该方法包括：确定所述量子位的频率；以及控制所述量子位的频率与所述芯片的芯片模式频率之间的分离，其中所述控制所述分离包括把涂层施加到所述芯片的四个边中的一个或多个，所述四个边由与所述衬底的第一表面相邻和垂直的表面构成。
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