[发明专利]成膜方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置

摘要

本发明的目的是提供一种高生产性的成膜技术，其通过由于大约2μm的厚度而具有非常良好的结晶性的底层来实现。本发明的一个实施方案涉及一种成膜方法，其具有以下步骤使用溅射法使缓冲层形成在由基板保持件保持的蓝宝石基板上，所述缓冲层设置有具有其中选自由C、Si、Ge、Mg、Zn、Mn和Cr组成的组的至少一种物质添加至AlxGa1‑xN(其中0≤x≤1)的纤锌矿结构的外延膜。

主权项

一种成膜方法，其特征在于，其包括以下步骤：在真空室中将蓝宝石基板安装在基板保持件上；通过将稀有气体和含氮的气体导入所述真空室中并且将电力供给至靶而在所述真空室中产生等离子体，所述靶通过将选自由C、Si、Ge、Mg、Zn、Mn和Cr组成的组中的至少一种物质以5原子％以下的浓度均一分散在Al金属和AlGa合金的至少一种中来制备；和在所述蓝宝石基板上通过使用等离子体的溅射法形成缓冲层，所述缓冲层包括通过将所述选自由C、Si、Ge、Mg、Zn、Mn和Cr组成的组的至少一种物质添加至AlxGa1‑xN来制备的具有纤锌矿结构的外延膜，其中0≤x≤1，其中形成缓冲层如下进行：所述选自由C、Si、Ge、Mg、Zn、Mn和Cr组成的组的至少一种物质进入所述纤锌矿结构的晶格间隙，并且所述选自由C、Si、Ge、Mg、Zn、Mn和Cr组成的组的至少一种物质不进入所述纤锌矿结构的晶格点。