[发明专利]具有梯度粒度和S:Se比例的光伏器件

摘要

在本文中所公开的是置于基板上的CIGS系光子吸收层。所述光子吸收层可用于光伏器件中。所述光子吸收层由具有经验式AB_1-xB’_xC_2-yC’_y的半导体材料制成，其中A是Cu、Zn、Ag或Cd；B和B’独立地为Al、In或Ga；C和C’独立地为S或Se，并且其中0≤x≤1；且0≤y≤2。所述半导体材料的粒度和所述半导体材料的组成二者均作为沿着所述层的深度的函数而变化。在本文中所描述的层展现出改善的光伏性能，包括增加的分流电阻和减小的背面电荷载流子复合。

主权项

一种光伏器件组件，所述光伏器件组件包括：基板，以及光子吸收层，所述光子吸收层置于所述基板上，并且具有靠近所述基板的表面和远离所述基板的表面，所述光子吸收层包括具有经验式AB_1‑xB’_xC_2‑yC’_y的半导体材料的颗粒，其中A是Cu、Zn、Ag或Cd；B和B’独立地为Al、In或Ga；C和C’独立地为S或Se，并且其中0≤x≤1；且0≤y≤2，其中所述光子吸收层包括至少一个富硫区和至少一个贫硫区，并且其中在远离所述基板的所述表面附近的所述半导体材料的颗粒大于在靠近所述基板的所述表面附近的颗粒。