[发明专利]具有包含InGaN的有源区的发光二极管半导体结构体

摘要

本发明涉及一种半导体结构体，其包含位于多个InGaN层之间的有源区。所述有源区至少基本由InGaN组成。所述多个InGaN层包含至少一个包含In_wGa_1-wN的阱层以及临近所述至少一个阱层的至少一个包含In_bGa_1-bN的势垒层。在某些实施方式中，所述阱层的In_wGa_1-wN中的w值可以大于或等于约0.10且小于或等于约0.40，在某些实施方式中，所述至少一个势垒层的In_bGa_1-bN中的b值可以大于或等于约0.01且小于或等于约0.10。本发明还涉及一种形成半导体结构体的方法，该方法包括生长上述InGaN层以形成如LED等发光器件的有源区。本发明还涉及照明器件，其包含上述LED。

主权项

一种半导体电致发光结构体，其包含：基体层，所述基体层包括n‑型掺杂层；设置在所述基体层上的有源区，所述有源区包含多个InGaN层，所述多个InGaN层包含至少一个包含In_wGa_1‑wN的阱层和至少一个包含In_bGa_1‑bN的势垒层，其中0.10≤w≤0.40，0.01≤b≤0.10；设置在所述有源区与所述基体层相对的一侧上的电子阻挡层，所述电子阻挡层包含In_eGa_1‑eN，其中0.00≤e≤0.02；设置在所述电子阻挡层上的p‑型In_pGa_1‑pN主体层，其中0.00≤p≤0.08；和设置在所述p‑型In_pGa_1‑pN主体层上的p‑型In_cGa_1‑cN接触层，其中0.00≤c≤0.10。