[发明专利]具有低电压读取路径及高电压擦除/写入路径的EEPROM存储器单元

摘要

本发明揭示一种电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元，其可包含衬底，其包含至少一个作用区域；浮动栅极，其邻近于所述衬底；写入/擦除栅极，其界定用于执行高电压写入及擦除操作的写入/擦除路径；及读取栅极，其界定用于执行低电压读取操作的读取路径，其中所述读取路径不同于所述写入/擦除路径。这允许更小读取栅极氧化物，因此允许减小单元大小。此外，所述EEPROM单元可包含两个可独立控制的读取栅极，借此界定允许更好编程电压隔离的两个独立晶体管。这允许使用共用源极而非需要其自身源极线的每一列EEPROM单元来牵引存储器阵列。此使阵列更可缩放，这是因为单元的x尺寸将另外受限于需要两个金属1间距的每一列。

主权项

一种电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元，其包括：衬底，其包含至少一个作用区域；浮动栅极，其在所述衬底之上；写入/擦除栅极，其布置在所述浮动栅极之上，且其经配置以界定用于执行所述单元的写入及擦除操作的写入/擦除路径；及读取栅极，其布置在所述衬底之上并且横向地邻近于所述浮动栅极和所述写入/擦除栅极，所述读取栅极经配置以界定用于执行所述单元的读取操作的读取路径，其中所述读取路径不同于所述写入/擦除路径；浮动栅极氧化物，其位于所述浮动栅极和所述衬底之间；读取栅极氧化物，其位于所述读取栅极和所述衬底之间；其中所述读取栅极氧化物比所述浮动栅极氧化物薄；由所述写入/擦除栅极界定的所述写入/擦除路径经配置以用于高电压写入及擦除操作；以及由所述读取栅极界定的所述读取路径经配置以用于低电压读取操作。