[发明专利]具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器

摘要

一种应用于通过化学气相沉积在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片承载器。所述晶片承载器包括凹入其本体的晶片保持凹穴。热绝缘间隔装置至少部分地位于至少一个晶片保持凹穴中，并且设置为保持周壁表面和晶片之间的间隔。间隔装置由具有比晶片承载器的热传导率低的材料制成，使得间隔装置限制热从晶片承载器本体的部分传递到晶片。晶片承载器进一步包括间隔保持结构，其与间隔装置对应并且包括用于防止在绕中心轴线旋转时间隔装置的离心运动的表面。

主权项

1.一种应用于通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片承载器总成，其特征在于，晶片承载器总成包含：绕中心轴线对称设置的晶片承载器本体，包括垂直于中心轴线设置的总体上平坦的上表面；至少一个从上表面凹入晶片承载器本体的晶片保持凹穴，至少一个晶片保持凹穴的每一个包括沿总体上平行于总体平坦的上表面的方向延伸的底面和从上表面朝向底面向下延伸的周壁表面，周壁表面外接底面并且形成晶片保持凹穴的周壁，晶片保持凹穴用于在绕中心轴线旋转时将晶片保持在周壁内；以及晶片保持凹穴具有总体平直的周壁部分以及圆形壁部分以容纳具有至少一个平直边缘的晶片，其中邻近总体平直的周壁部分的底面部分具有升高的部分，所述升高的部分与邻近晶片保持凹穴的圆形壁部分的底面部分相比从上表面更少地凹进。