[发明专利]附带铁电膜的硅基板在审
| 申请号： | 201480015888.4 | 申请日： | 2014-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN105190848A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;桜井英章;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/8246;H01L27/105;H01L41/318;H01L41/319 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板主体(11)上通过溶胶‑凝胶法而形成的PZT系的铁电膜(12)中的残余应力为﹣14MPa～﹣31MPa，且铁电膜(12)结晶取向于(100)面。 | ||
| 搜索关键词： | 附带 铁电膜 硅基板 | ||
【主权项】：
1.一种附带铁电膜的硅基板，其特征在于，在基板主体上，通过溶胶-凝胶法而形成的PZT系的铁电膜中的残余应力为﹣14MPa～﹣31MPa，且所述铁电膜结晶取向于(100)面，所述铁电膜形成于在下部电极上所形成的结晶粒径控制膜上，所述铁电膜具有择优结晶取向被控制在(100)面的取向控制膜与厚度调整膜，所述厚度调整膜具有与所述取向控制膜相同的结晶取向并调整所述铁电膜的整体的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
