[发明专利]极紫外光刻的光学元件和光学系统及处理这种光学元件的方法有效
| 申请号： | 201480016112.4 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105074576B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | H.H.P.T.贝克曼;D.H.埃姆;J.休布雷格特斯;A.J.斯托姆;T.格雷伯;I.阿门特;D.斯米茨;E.特斯莱特;A.库兹尼特索夫 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司;ASML荷兰公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G21K1/06;G02B1/14;G02B5/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学元件(50)，包括基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比第二层(58)更接近所述多层系统(51)。所述第一层(57)充当氢的扩散阻挡物，并且对于氢的溶度低于所述第二层(58)，第二层用于吸收氢。本发明还涉及一种EUV光刻的光学系统，其包括至少一个这种光学元件(50)，还涉及一种处理光学元件(50)的方法，以移除包含在保护层系统(60)的至少一个层(57,58,59)和/或多层系统(51)的至少一个层(53,54)中的氢。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光刻 光学 元件 光学系统 处理 这种 方法 | ||
【主权项】：
光学元件(50)，包括：基板(52)；EUV辐射反射式多层系统(51)，施加到所述基板(52)；以及保护层系统(60)，施加到所述多层系统(51)并具有至少第一层和第二层(57,58)，其中，所述第一层(57)布置成比所述第二层(58)更接近所述多层系统(51)，其中，所述第一层(57)对于氢的溶度低于所述第二层(58)，其中，所述保护层系统(60)具有第三、最顶层(59)，所述第三、最顶层由在350K温度对于氢的复合率(kr)大于10‑27cm4/(原子秒)的材料形成。
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