[发明专利]多层钝化或蚀刻终止TFT在审
| 申请号： | 201480016376.X | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105051907A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 任东吉;元泰景;S-M·赵;J·M·怀特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明大体上涉及TFT以及用于制造TFT的方法。对于背沟道蚀刻TFT或蚀刻终止TFT而言，多层的钝化层或蚀刻终止层允许在并不太致密的背沟道保护层上形成很致密的盖层。所述盖层可以是充分致密的，使得存在很少气孔，并且因此氢可能不穿过通向半导体层。因此，可将含氢的前驱物用于所述盖层沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 钝化 蚀刻 终止 tft | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基板，所述基板具有栅极电极、栅极电介质层以及半导体层形成在所述基板上；源极电极，所述源极电极设置在所述半导体层上；漏极电极，所述漏极电极设置在所述半导体层上，并与所述源极电极通过包括所述半导体层的暴露部分的有源沟道间隔开来；背沟道保护层，所述背沟道保护层设置在所述有源沟道中的所述暴露半导体层上；以及蚀刻终止层，所述蚀刻终止层设置在所述背沟道保护层上，所述蚀刻终止层具有不同于所述背沟道保护层的组分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480016376.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
