[发明专利]基底上的纳米棒单层及其形成方法有效
| 申请号： | 201480017158.8 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105307976B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 熊启华;彭波 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在基底上形成纳米棒单层的方法，其中所述纳米棒至少基本上垂直对齐，所述方法包括在基底上提供包含所述纳米棒的溶液的小滴，以及控制所述溶液的温度和蒸发，使得所述小滴的内部区域保持在接近平衡的状态，以允许形成纳米棒单层。本发明还涉及在所述基底上如此得到的纳米棒单层。本发明还进一步涉及一种光学装置和所述光学装置的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 纳米 单层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种在基底上形成纳米棒单层的方法，其中所述纳米棒至少基本上垂直对齐在基底上，且其中，相邻纳米棒之间的边缘至边缘间距等于或小于2nm，所述方法包括：在基底上提供包含所述纳米棒和表面活性剂的溶液的小滴；控制所述溶液的温度和蒸发，使得所述小滴的内部区域保持在接近平衡的状态，以允许在基底上形成纳米棒单层，其中所述纳米棒中的每一个涂覆有所述表面活性剂；以及从所述纳米棒中的每一个除去所述表面活性剂，其中除去所述表面活性剂包括在所述表面活性剂涂覆的纳米棒上实施紫外线臭氧处理。
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