[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480017180.2 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105103290B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 八尾典明;阿部和 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,李炬 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包括隔着在半导体衬底(1)的表面上形成的绝缘膜(3)堆积薄膜半导体层(4)的工序；以第一杂质离子的射程小于薄膜半导体层在堆积时的膜厚的条件向薄膜半导体层注入第一杂质离子的工序；以及以比第一杂质离子的剂量高的剂量向薄膜半导体层选择性地注入第二杂质离子的工序，由薄膜半导体层中的注入了第一杂质离子的区域(5)和注入了第二杂质离子的区域(6)形成温度检测用二极管(31)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：隔着在半导体衬底的表面上形成的绝缘膜堆积薄膜半导体层的工序；以第一杂质离子的射程小于所述薄膜半导体层在所述堆积时的膜厚的条件向所述薄膜半导体层注入所述第一杂质离子的工序；和以比所述第一杂质离子的剂量高的剂量向所述薄膜半导体层选择性地注入第二杂质离子的工序，由所述薄膜半导体层中的注入了所述第一杂质离子的区域和注入了所述第二杂质离子的区域形成温度检测用二极管，通过实施使被注入到所述薄膜半导体层的所述第一杂质离子和所述第二杂质离子激活的热处理，在所述薄膜半导体层中形成比所述膜厚薄的第一导电类型的第一主电极区域和第二导电类型的第二主电极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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