[发明专利]静电吸盘有效
| 申请号： | 201480017501.9 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105074901B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 穴田和辉;吉井雄一 | 申请（专利权）人： | TOTO株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B23Q3/15;H02N13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所涉及的静电吸盘的特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及绝缘体塞子，具有设置于气体导入路的陶瓷多孔体、设置在陶瓷多孔体与气体导入路之间的比陶瓷多孔体更致密的陶瓷绝缘膜，陶瓷绝缘膜从陶瓷多孔体的表面进入陶瓷多孔体的内部。对于气体导入路内的放电可得到高的绝缘强度，或者，对于吸附对象物可进行晶片温度均一性高的温度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷多孔体 导入路 主面 陶瓷电介体 陶瓷绝缘膜 静电吸盘 穿通孔 对象物 基板 吸附 绝缘体 塞子 致密 金属制基座 温度均一性 主面相 放电 晶片 绝缘 连通 支撑 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、从所述第2主面设置到所述第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有与所述穿通孔连通的气体导入路；及绝缘体塞子，具有设置于所述气体导入路的陶瓷多孔体、设置在所述陶瓷多孔体与所述气体导入路之间的比所述陶瓷多孔体更致密的陶瓷绝缘膜，所述陶瓷绝缘膜通过喷镀形成于所述陶瓷多孔体的侧面，并从所述陶瓷多孔体的表面进入所述陶瓷多孔体的内部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TOTO株式会社，未经TOTO株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480017501.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
