[发明专利]用于分解二氧化硅层的方法

摘要

本发明涉及用于分解在结构(50)中的二氧化硅层(90)的方法，所述结构从其背面(60)至其正面(70)包括支撑衬底、二氧化硅层(90)和半导体层(100)，所述分解方法在炉中实施，在所述炉中，支架上承载结构(50)，所述分解方法使包含在二氧化硅层(90)中的氧原子扩散经过半导体层(100)并且产生挥发性产物，炉包括陷阱(110)，所述陷阱适于与挥发性产物反应，以便降低平行于至少一个结构(50)的正面(70)的挥发性产物的浓度梯度。

主权项

一种用于分解绝缘体上半导体式的结构(50)中的二氧化硅层(90)的方法，所述结构从其背面(60)至其正面(70)包括支撑衬底(80)、二氧化硅层(90)和半导体层(100)，所述分解方法在炉(10)中实施，在所述炉中，支架(40)上承载多个结构(50)，支架(40)适于以在每个结构(50)之间为预定距离的方式承载结构(50)，结构(50)的正面(70)对着与所述正面(70)相邻的结构(50)的背面(60)，炉(10)的气氛是非氧化性气氛，所述分解方法导致包含在二氧化硅层(90)中的氧原子扩散经过半导体层(100)并且产生由所述氧原子与半导体层(100)的反应所形成的挥发性产物，所述方法的特征在于，炉(10)包括陷阱(110)，所述陷阱适于与挥发性产物反应，以便减小至少一个结构(50)的平行于正面(70)的挥发性产物的浓度梯度。