[发明专利]光生伏打电池以及制造这种电池的方法

摘要

一种光生伏打电池，包括半导体衬底，所述半导体衬底具有前表面和背表面。用于收集光电流的背表面场区和发射极区被设置成交替地位于衬底的背表面处，背表面场区中的至少一个背表面场区具有大于600微米的宽度。前浮置发射极层被设置在前表面处、背表面场区中所述至少一个背表面场区之上，其中，前浮置发射极层具有取决于背表面场区中所述一个背表面场区的宽度而选择的平均电导率。

主权项

一种光生伏打电池，包括‑半导体衬底，所述半导体衬底具有前表面和背表面；‑交替地位于所述衬底的背表面处、用于收集光电流的背表面场区和发射极区，所述背表面场区中的至少一个背表面场区具有大于750微米的宽度；‑在前表面处、至少位于所述背表面场区中的一个背表面场区之上的前浮置发射极层，其中，所述前浮置发射极层的平均电导率至少为电导率值C＝a*W‑b，其中W为所述背表面场区的宽度，单位为毫米，系数a＝5.54毫西门子平方/毫米以及系数b＝1.0毫西门子平方。