[发明专利]带温度补偿功能的传感器元件和使用该元件的磁传感器及电能测定装置有效

专利信息
申请号: 201480019163.2 申请日: 2014-04-01
公开(公告)号: CN105074488B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 辻本浩章 申请(专利权)人: 株式会社SIRC
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R21/08;H01L43/08
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 代理人: 龚敏,王刚
地址: 日本国大阪府大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请涉及带温度补偿功能的传感器元件和使用该元件的磁传感器及电能测定装置。对磁阻效应型磁传感器而言,由于周围的温度上升而磁性膜自身的磁特性会降低,所以存在作为传感器的灵敏度降低的问题。一种传感器元件,其特征在于,包括具有磁阻效应的磁性膜;用于向上述磁性膜流通电流的、隔着上述磁性膜而对置的一对电极;在上述电极的对置方向上使第一偏置磁场产生的施加纵向偏置磁场的磁铁;和在与上述施加纵向偏置磁场的磁铁之间形成直角的方向上使第二偏置磁场产生的施加横向偏置磁场的磁铁,上述施加纵向偏置磁场的磁铁的温度特性比上述施加横向偏置磁场的磁铁的温度特性大。
搜索关键词: 温度 补偿 功能 传感器 元件 使用 电能 测定 装置
【主权项】:
一种传感器元件,其特征在于,包括:具有磁阻效应的磁性膜;用于向上述磁性膜流通电流的、隔着上述磁性膜而对置的一对电极;在上述电极的对置方向上产生第一偏置磁场的施加纵向偏置磁场的磁铁;和在与上述施加纵向偏置磁场的磁铁形成直角的方向上产生第二偏置磁场的施加横向偏置磁场的磁铁,上述施加纵向偏置磁场的磁铁的温度特性比上述施加横向偏置磁场的磁铁的温度特性更大。
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