[发明专利]双极结型晶体管结构有效
| 申请号： | 201480019622.7 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN105308750B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 约翰·伍德 | 申请（专利权）人： | 约翰·伍德 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 提供一种双向双极结型晶体管(BJT)结构，包括：第一导电类型的基极区域，其中，所述基极区域构成所述结构的漂移区域；第一和第二集电极/发射极(CE)区域，所述第一和第二集电极/发射极区域中的每一个具有第二导电类型，并与所述基极区域的相对端相邻；其中，所述基极区域相对于所述集电极/发射极区域被轻掺杂；所述结构还包括：基极连接，连接到所述基极区域，其中所述基极连接在所述第一集电极/发射极区域之内或与所述第一集电极/发射极区域相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种垂直的非绝缘栅双极晶体管结构，包括：第一导电类型的基极区域，其中，所述基极区域构成所述结构的漂移区域；第二导电类型的第一集电极/发射极区域，所述第一集电极/发射极区域与所述基极区域的第一端相邻；第二导电类型的第二发射极/集电极区域，所述第二发射极/集电极区域与所述基极区域的第二端相邻，所述基极区域的第二端与所述基极区域的第一端相对；其中，所述基极区域相对于所述第一集电极/发射极区域和所述第二发射极/集电极区域被轻掺杂，所述结构还包括：第一集电极/发射极，包括连接所述第一集电极/发射极区域的第一金属触点；第二发射极/集电极，包括连接所述第二发射极/集电极区域的第二金属触点；基极连接，连接到所述基极区域，其中所述基极连接包括第三金属触点，第三金属触点通过所述第一导电类型的基极连接区域连接所述基极区域，其中所述基极连接区域相对于所述基极区域被重掺杂，并且其中所述基极连接在所述第一集电极/发射极区域之内或与所述第一集电极/发射极区域相邻；其中所述第一集电极/发射极区域相对于所述基极连接区域被深度扩散，所述第二发射极/集电极区域相对于所述基极连接区域被深度扩散。
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