[发明专利]具有高线性度的MEMS数字可变电容器设计有效
| 申请号： | 201480019695.6 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN105122402B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 理查德·L·奈普;罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 | 申请（专利权）人： | 卡文迪什动力有限公司 |
| 主分类号： | H01G5/16 | 分类号： | H01G5/16;H01H59/00;H01G5/18 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明总体上涉及MEMS DVC及其制造方法。MEMS DVC包括能够从与RF电极隔开第一距离的位置和与RF电极隔开第二距离的第二位置移动的板，所述第二距离小于第一距离。当处于第二位置时，板通过介电层与RF电极隔开，所述介电层具有在RF电极上的RF平台。还可以存在一个或更多个二次降落触点和一个或更多个板弯曲触点，以确保板获得与RF平台的良好接触以及能够获得一致的Cmax值。在附图中，PB触点是板弯曲触点，SL触点是二次降落触点并且PD电极是下拉电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 线性 mems 数字 可变电容器 设计 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS DVC，其包括：衬底，其具有布置在该衬底中的至少一个第一电极、至少一个第二电极和RF电极；介电层，其布置在所述衬底、所述至少一个第一电极、所述至少一个第二电极和所述RF电极上，其中，所述介电层包括在所述RF电极上的RF平台和至少一个二次降落触点；和板，其耦接到所述至少一个第一电极并且在所述至少一个第二电极和所述RF电极上延伸，所述板能够从与所述介电层隔开的第一位置和与所述RF平台接触的位置移动，其中所述至少一个第二电极围绕所述衬底的一部分，并且其中所述二次降落触点被布置在所述衬底的由所述至少一个第二电极围绕的部分上。
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