[发明专利]与生长衬底分离的紫外线发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201480020081.X | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN105103310B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 韩昌锡;金华睦;高美苏;李阿兰澈;徐大雄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/32;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种UV发光装置及其制造方法。该方法包括在衬底上形成包括AlxGa(1‑x)N的第一超晶格层，在所述第一超晶格层上形成包括AlzGa(1‑z)N的牺牲层，部分地去除牺牲层，在牺牲层上形成外延层以及将衬底与外延层分离，其中，牺牲层含有空隙，衬底与外延层在牺牲层处分离，形成外延层的步骤包括形成包括n型AluGa(1‑u)N(0<u≤z≤x<1)的n型半导体层。通过这种结构，该发光装置可以发射UV光且与衬底分离。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 分离 紫外线 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造紫外线发光装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括AlxGa(1‑x)N的第一超晶格层；在所述第一超晶格层上形成包括AlzGa(1‑z)N的牺牲层；部分地去除所述牺牲层；在所述牺牲层上形成外延层；以及将所述衬底与所述外延层分离，其中，所述牺牲层包括空隙，所述衬底与所述外延层在所述牺牲层处分离，其中，形成外延层的步骤包括形成包括n型AluGa(1‑u)N的n型半导体层，其中，0<u≤z≤x<1。
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