[发明专利]β-Ga2O3系单晶的生长方法在审

专利信息
申请号: 201480020148.X 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN105102694A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 渡边信也;饭塚和幸;土井冈庆;松原春香;增井建和 申请(专利权)人: 株式会社田村制作所;株式会社光波
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B15/34
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 徐谦;刘宁军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法,其能够使晶体结构的偏差较小的高质量的β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长。在一实施方式中,提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法,其包括:使用晶种,使添加有Sn的平板状β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长的步骤。
搜索关键词: ga sub 系单晶 生长 方法
【主权项】:
一种β‑Ga2O3系单晶的生长方法,包括:使用晶种,使添加有Sn的平板状β‑Ga2O3系单晶朝b轴方向生长的步骤。
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