[发明专利]氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201480020520.7 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN105121694A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 内山博幸;福岛英子 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 及其 制造 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。
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