[发明专利]用来加速CMOS处理器的SPASER

摘要

一种处理器包含第一晶体管和第二晶体管的晶体管对。所述晶体管对的第一晶体管被耦合到Spaser并且被配置为输出驱动电流给所述Spaser以泵浦所述Spaser。响应于所述驱动电流，所述Spaser输出被馈送到等离子体激元互连导线的表面等离子体激元极化激元（SPP）。所述等离子体激元互连导线传播所述SPP。进一步，由光电晶体管探测在所述等离子体激元互连导线上传播的所述SPP。响应于探测所述SPP，所述光电晶体管生成输出电流，所述输出电流被馈送到第二晶体管的栅极端子以对第二晶体管充电。

主权项

一种半导体系统，包括：器件，被配置为经表面等离子体激元的受激辐射放大（SPASER）活动生成和放大纳米局部化光场；晶体管对的第一晶体管，被耦合到所述器件并且被配置为将驱动电流供应给所述器件以开始与SPASER活动相关联的泵浦活动；光电晶体管，经互连导线被耦合到所述器件；以及所述晶体管对的第二晶体管，被耦合到所述光电晶体管并且被配置为接收来自所述光电晶体管的输出电流，其中响应于驱动电流，所述器件被配置为生成表面等离子体激元（SP），所述表面等离子体激元（SP）在近场中被耦合到互连导线的传播表面等离子体激元极化激元（SPP），并且其中响应于SPP的探测，所述光电晶体管被配置为生成输出电流用于对第二晶体管的栅极充电。