[发明专利]图案形成方法、树脂组合物、抗蚀剂膜、电子元件的制造方法及电子元件

摘要

本发明提供一种极其高水平地同时满足高灵敏度、高分辨率(高解像力等)、膜薄化减少性能的图案形成方法、树脂组合物、抗蚀剂膜、电子元件的制造方法及电子元件。该图案形成方法包括：(1)使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物来形成膜、(2)利用光化射线或放射线对膜进行曝光、以及(3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的膜进行显影，且感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有(A)具有通过酸的作用而分解并产生极性基的基的树脂，树脂(A)具有酚性羟基及/或由因酸的作用而脱离的基保护的酚性羟基，进而，包含有机溶剂的显影液含有与极性基形成离子键、氢键、化学键及偶极相互作用中的至少一种相互作用的添加剂。

主权项

1.一种图案形成方法，其包括：/n(1)使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物来形成膜、/n(2)利用光化射线或放射线对所述膜进行曝光、以及/n(3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的所述膜进行显影，且/n所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有(A)具有通过酸的作用而分解并产生极性基的基的树脂，/n所述树脂(A)具有酚性羟基及由因酸的作用而脱离的基保护的酚性羟基中的至少任一者，/n所述树脂(A)具有由下述通式(I)所表示的重复单元，/n包含所述有机溶剂的所述显影液含有添加剂，所述添加剂与所述极性基形成离子键、氢键及偶极相互作用中的至少一种相互作用，/n /n通式(I)中，R₄₁、R₄₂及R₄₃分别独立地表示氢原子、烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基；其中，R₄₂可与Ar₄键结而形成环，所述情况下的R₄₂表示单键或亚烷基；X₄表示单键、-COO-或-CONR₆₄-，当与R₄₂形成环时表示三价的连结基；R₆₄表示氢原子或烷基；L₄表示单键或亚烷基；Ar₄表示(n+1)价的芳香环基，当与R₄₂键结而形成环时表示(n+2)价的芳香环基；n表示1～4的整数；Y₂表示氢原子或因酸的作用而脱离的基，当n≧2时分别独立地表示氢原子或因酸的作用而脱离的基。/n