[发明专利]纳米级结构的制造方法及使用该方法制造的纳米级结构

摘要

本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。

主权项

一种在衬底上制造多个柱状结构的方法，在所述衬底上面形成有多个突起，每个突起有顶点和由顶点区域向下延伸的侧壁，所述方法包括：以批量处理的方法，用掩模材料形成覆盖所述多个突起的每个突起的保护层，至少覆盖每个突起的顶点以及每个突起的侧壁的至少一部分；将每个突起的侧壁上的掩模材料保护层去除，使侧壁裸露，并留下覆盖顶点的掩模材料岛区，在每个突起的顶点上形成掩模；并用刻蚀气体以批量处理的方法对各突起进行各向异性地蚀刻，形成多个柱状结构，每个柱状结构由一个突起蚀刻而来，且拥有从掩模向衬底延伸的柱体，该柱体在其长度范围内的横截面形状基本上由掩模的形状决定。