[发明专利]利用再生长氮化镓层制造混合的PN结与肖特基二极管的方法有效
| 申请号： | 201480021877.7 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN105144392B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 伊舍克·C·克孜勒亚尔勒;大卫·P·布尔;托马斯·R·普朗蒂;聂辉;昆廷·迪杜克;厄兹居尔·阿克塔什 | 申请（专利权）人： | 新时代电力系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于以氮化镓(GaN)基材料制造混合p‑i‑n肖特基(MPS)二极管的方法包括提供具有第一表面和第二表面的n型GaN基衬底。该方法还包括形成耦接至n型GaN基衬底的第一表面的n型GaN基外延层和形成耦接至n型GaN基外延层的p型GaN基外延层。该方法还包括去除部分p型GaN基外延层以形成多个掺杂剂源和再生长GaN基外延层，该再生长的GaN基外延层包括在与部分所述n型GaN基外延层交叠的区域中的n型材料和在与多个掺杂剂源交叠的区域中的p型材料。该方法还包括形成电耦接至再生长的GaN基外延层的第一金属结构。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 再生 氮化 制造 混合 pn 肖特基 二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于以氮化镓(GaN)基材料制造混合的p‑i‑n肖特基(MPS)二极管的方法，所述方法包括：提供具有第一表面和第二表面的n型GaN基衬底；形成耦接至所述n型GaN基衬底的所述第一表面的n型GaN基外延层；形成耦接至所述n型GaN基外延层的p型GaN基外延层；去除部分所述p型GaN基外延层以形成多个掺杂剂源；再生长GaN基外延层，再生长的GaN基外延层包括在与部分所述n型GaN基外延层交叠的区域中的n型材料和在与所述多个掺杂剂源交叠的区域中的p型材料；以及形成电耦接至所述再生长的GaN基外延层的第一金属结构。
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