[发明专利]用于改进MEMSDVC器件线性度的控制电极屏蔽

摘要

本发明一般性地涉及一种MEMS DVC，其具有在RF电极和使板移动的一个或更多个其他电极之间的屏蔽电极结构。该屏蔽电极结构可以接地，并且基本上阻挡或屏蔽RF电极以使其不受使板移动的一个或更多个电极影响。通过屏蔽RF电极，减少了RF电极到使板移动的一个或更多个电极的耦合并且减小或甚至消除了电容调节。

主权项

一种MEMS数字可变电容器(DVC)，其中改进包括：第一介电层，其具有布置在该第一介电层中的下拉电极、RF电极、接地电极和屏蔽电极，其中所述屏蔽电极被布置在所述RF电极和所述下拉电极之间并且与所述RF电极和所述下拉电极相邻，并且其中所述屏蔽电极接地；其中所述屏蔽电极延伸到所述第一介电层中一定深度处，所述深度等于或者大于所述RF电极和所述下拉电极延伸到所述第一介电层中的距离；第二介电层，其被布置在所述下拉电极、所述RF电极、所述接地电极和所述屏蔽电极上；上拉电极，其被布置在可移动电极之上，与所述下拉电极相对并且具有在所述上拉电极上的第三介电层；和所述可移动电极，其耦合到所述接地电极并且能够从与所述第二介电层接触的位置和与所述第三介电层接触的位置移动。