[发明专利]半导体用复合基板的操作基板有效
| 申请号： | 201480023299.0 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105308718B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 宫泽杉夫 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 操作基板1，由作为烧结助剂至少含有镁的透光性氧化铝陶瓷形成。操作基板1的相对于施主基板5的接合面1a上的镁浓度，在操作基板1的平均镁浓度的一半以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 操作 | ||
【主权项】：
一种操作基板，是半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，所述操作基板由透光性氧化铝烧结体形成，该透光性氧化铝烧结体中作为烧结助剂至少含有镁，所述操作基板中的氧化镁添加量在300ppm以下，所述操作基板的相对于施主基板的接合面上的镁浓度，在所述操作基板的平均镁浓度的一半以下，所述操作基板的所述接合面上的镁浓度在10×1010atom/cm2以下，所述操作基板的平均镁浓度在20×1010atom/cm2以上、40×1010atom/cm2以下，所述透光性氧化铝烧结体的相对密度在98％以上，所述操作基板的所述接合面的微观表面的中心线平均表面粗糙度Ra在5nm以下，所述透光性氧化铝烧结体的氧化铝结晶颗粒的平均粒径为5～60μm，所述操作基板的所述接合面上的氧化铝结晶颗粒的平均粒径，大于所述操作基板的厚度方向的中心线上的氧化铝结晶颗粒的平均粒径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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