[发明专利]形成集成电路冷却系统的选择性焊料密封连接结构的方法有效
| 申请号： | 201480024041.2 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105164803B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | W·J·戴维斯;D·H·阿尔特曼 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/473;H01L21/48;H05K1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王丽军 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在连接结构中形成冷却通道以焊接到半导体结构的方法。该方法包括：在基板的表面上形成金属种晶层；将所述种晶层图案化为覆盖所述基板的某些部分且暴露基板的其它部分的图案化的镀覆用种晶层；使用所述图案化的镀覆用种晶层形成穿过所述基板的暴露部分的通道；以及用焊料镀覆所述图案化的镀覆用种晶层。在其中具有冷却通道的换热器被附连到连接结构的一个表面而半导体结构被焊接到连接结构的相反表面。换热器的冷却通道与连接结构中的通道对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 冷却系统 选择性 焊料 密封 连接 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在连接结构中形成冷却通道以焊接到半导体结构的方法，包括：在基板的表面上形成种晶层；将所述种晶层图案化为覆盖所述基板的某些部分且暴露基板的其它部分的图案化的镀覆用种晶层；在所述图案化的镀覆用种晶层中形成穿过所述基板的暴露部分的通道；以及用焊料镀覆所述图案化的镀覆用种晶层。
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