[发明专利]用于电池供电装置的电池反接保护有效
| 申请号： | 201480024163.1 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105247751B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 伊戈尔·戈夫曼尔 | 申请（专利权）人： | 安晟信医疗科技控股公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00;H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 曹正建,陈桂香 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于由并联电池供电的装置的电池反接保护电路(1100)可包括P沟道MOSFET和N沟道MOSFET。电池供电装置(1130)的每个正电池端子连接器(1112a，1112b)可与N沟道MOSFET(1133a，1133b)的栅极、P沟道MOSFET(1146a，1146b)的栅极和另一P沟道MOSFET(1132a，1132b)的源极连接。在电池反接的情况下，保护电路的P沟道MOSFET和N沟道MOSFET中的一者或多者可切换至非导通状态，以使装置的负载与不正确地安装的电池隔离并防止该不正确地安装的电池和/或其它并联电池过早地放电。在一些实施例中，负载可由单个正确地安装的电池供电。根据其他方面，还提供了保护负载免受电池反接损坏的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电池 供电 装置 反接 保护 | ||
【主权项】：
一种电池反接保护电路，其包括：第一P沟道MOSFET，其具有栅极、漏极和源极；第二P沟道MOSFET，其具有栅极、与所述第一P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及与所述第一P沟道MOSFET的源极连接的源极；第一N沟道MOSFET，其具有与所述第二P沟道MOSFET的栅极连接的栅极、与所述第二P沟道MOSFET的漏极以及所述第一P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及源极；第一负载端子，其与所述第一P沟道MOSFET的漏极连接；第一正电池端子连接器，其与所述第一P沟道MOSFET的源极以及所述第二P沟道MOSFET的源极连接，所述第一正电池端子连接器被构造成电连接到第一电池端子；第二正电池端子连接器，其与所述第一N沟道MOSFET的栅极以及所述第二P沟道MOSFET的栅极连接，所述第二正电池端子连接器被构造成电连接到第二电池端子；第一负电池端子连接器，其被构造成电连接到第三电池端子；第二负电池端子连接器，其被构造成电连接到第四电池端子；以及第二负载端子，其中，所述第一负电池端子连接器、所述第二负电池端子连接器、所述第二负载端子和所述第一N沟道MOSFET的源极彼此连接。
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