[发明专利]氮化镓场效应晶体管有效
| 申请号： | 201480024438.1 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105164810B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | A·M·海尔德;J·约翰 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可以通过在半导体层(104)上形成含硅栅极介电层(108)来形成半导体器件(100)。栅极金属层在栅极介电层(108)上形成；在形成过程中，栅极金属层包括2原子百分比到10原子百分比的硅。栅极金属层被图案化以形成金属栅极(112)。随后形成源极接触孔和漏极接触孔(116)，且在接触孔(116)中形成并图案化接触金属(118)。后续接触退火以至少750℃的温度加热接触金属(118)和栅极(112)至少30秒。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：衬底，其具有设置在所述衬底的顶表面上的半导体层；栅极介电层，其被设置在所述半导体层上，所述栅极介电层包含硅；金属栅极，其被设置在所述栅极介电层上，所述金属栅极包括2原子百分比到10原子百分比的硅；和接触金属，其被设置在靠近所述金属栅极的源极接触孔和漏极接触孔中。
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