[发明专利]垂直存储器中的浮动栅极存储器单元

摘要

本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

主权项

一种存储器单元，其包括：控制栅极，其在第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间；浮动栅极，其在所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部；及电荷阻挡结构，其在所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构包含接触所述控制栅极的第一氧化物、接触所述浮动栅极的第二氧化物、以及所述第一氧化物和第二氧化物之间的氮化物，且其中所述第二氧化物包覆在所述浮动栅极的所述突出部周围。