[发明专利]制造部分独立式石墨烯晶体膜的方法和包括这样的膜的器件有效
| 申请号： | 201480024595.2 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105188894B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | K.阿萨蒂;J.H.克鲁特维克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D69/12;B01D71/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 江鹏飞,景军平 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所公开的是一种制造部分独立式石墨烯晶体膜（16,16'）的方法，该方法包括提供在第一表面上承载用于形成石墨烯晶体层的催化剂层（14）的衬底（10）；在催化剂层上形成石墨烯晶体膜；利用保护层（18）覆盖至少石墨烯晶体膜；蚀刻衬底的第二表面中的腔体（24），第二表面与第一表面相对，所述腔体终止于催化剂层上；从腔体蚀刻催化剂层的所暴露部分；以及移除保护层，从而获得在所述腔体之上独立的石墨烯晶体膜。还公开了以该方式制造的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 部分 立式 二维 晶体 方法 包括 这样 器件 | ||
【主权项】：
一种制造部分独立式石墨烯晶体膜（16,16'）的方法，所述方法包括：提供在第一表面上承载用于形成石墨烯晶体层的催化剂层（14）的载体；在催化剂层上形成石墨烯晶体膜；利用保护层（18）覆盖至少石墨烯晶体膜；蚀刻载体的第二表面中的腔体（24），第二表面与第一表面相对，所述腔体终止于催化剂层上；从腔体蚀刻催化剂层的所暴露部分；以及移除保护层，从而获得在所述腔体之上独立并且仅在边缘区域中由载体支撑的石墨烯晶体膜。
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