[发明专利]用于声学监视及控制穿透硅的通孔显露处理的设备及方法有效
申请号: | 201480024607.1 | 申请日: | 2014-04-28 |
公开(公告)号: | CN105164794B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | X·Y·周;K·苏布拉马尼亚姆;U·玛哈简;B·A·斯韦德克;R·巴贾杰;J·唐 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 可声学地监视及控制使用CMP(化学机械抛光)的TSV(穿透硅的通孔)显露工艺,以检测TSV破损并自动地响应于所述TSV破损。在CMP工艺期间,可分析由一个或多个声传感器接收的声发射,以检测TSV破损,所述一个或多个声传感器被定位成毗邻CMP系统的基板保持器及/或抛光垫。响应于检测到TSV破损,一个或多个补救动作可自动地发生。在一些实施例中,抛光垫压板可具有集成于其中的一个或多个声传感器,所述一个或多个声传感器延伸到安装在所述抛光垫压板上的抛光垫中。作为其他方面,还提供了监视及控制TSV显露工艺的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 声学 监视 控制 穿透 显露 处理 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于化学机械抛光设备的压板,包括:盘形基底,所述盘形基底被配置成在所述盘形基底的表面上接收抛光垫,所述盘形基底具有至少一个用于接收声传感器的通孔;耦合到所述盘形基底的用于保持声传感器的支架,其中所述支架被配置成确保当所述抛光垫被安装在所述盘形基底上时,被保持在所述支架中的声传感器保持恒久接触所述抛光垫;以及声传感器,所述声传感器被配置成被电耦接至控制器,其中所述控制器被配置成分析从所述声传感器接收的一个或多个信号;其中所述声传感器被接收在所述至少一个通孔中或者被保持在所述支架中,并且其中当所述声传感器被接收在所述至少一个通孔中时,所述声传感器从所述盘形基底的表面突出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造