[发明专利]III族氮化物晶体管布局

摘要

一种包含GaN FET(124)的半导体装置(100)在沟道区域外具有绝缘栅极结构(112)，该绝缘栅极结构可操作以阻断半导体装置的两个区域之间的二维电子气中的电流。绝缘栅极结构(112)与GaN FET的栅极同时形成并具有与该栅极相同的结构。

主权项

1.一种半导体装置，包括：衬底，包括III族氮化物半导体材料；III族氮化物半导体材料的低缺陷层，其被设置在所述衬底上；III族氮化物半导体材料的阻挡层，其被设置在所述低缺陷层上，其中所述阻挡层包括24％‑28％的AlN和72％‑76％的GaN；氮化镓场效应晶体管，即GaN FET，其包括：栅极，其被设置在所述阻挡层上；漏极接触，其被设置在所述低缺陷层上的阻挡层中，所述漏极接触形成穿过所述阻挡层到所述低缺陷层的隧穿电连接；和源极接触，其被设置在所述低缺陷层上的阻挡层中，所述源极接触形成穿过所述阻挡层到所述低缺陷层的隧穿电连接；和绝缘栅极结构，其被设置在所述阻挡层上并具有与所述栅极相同的结构，所述绝缘栅极结构可操作以将所述低缺陷层中的第一区域的二维电子气与第二区域的二维电子气电绝缘，其中所述绝缘栅极结构与所述栅极相连，所述第一区域与所述漏极接触相连，并且所述第二区域与所述源极接触相连。