[发明专利]具有交替的N掺杂区域和P掺杂区域的单片硅晶圆在审
| 申请号： | 201480024908.4 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105190863A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 让-保罗·加朗代;塞巴斯蒂安·迪布瓦;尼古拉斯·昂雅尔贝;约尔迪·威尔曼;Y·维舍蒂 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/761 | 分类号： | H01L21/761;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/047 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单片硅晶圆(10)，其在至少一个竖直切割面上具有交替的n掺杂区域(110)和p掺杂区域(120)，所述n掺杂区域和所述p掺杂区域分别在所述晶圆的整个厚度(e)上延伸，其特征在于：所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)分别在切割面中具有至少1mm的宽度(L1，L2)；所述n掺杂区域(110)具有氧热施主浓度，所述氧热施主浓度不同于所述p掺杂区域(120)的氧热施主浓度；以及所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域由电隔离区域(130)彼此分开。本发明还涉及制造这样的晶圆的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交替 掺杂 区域 单片 硅晶圆 | ||
【主权项】：
一种单片硅晶圆(10)，在至少一个竖直横截面上具有交替的n掺杂区域(110)和p掺杂区域(120)，所述n掺杂区域和所述p掺杂区域分别贯穿所述晶圆的厚度(e)，其特征在于：‑所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)分别在所述横截面中具有至少1mm的宽度(L1，L2)；‑所述n掺杂区域(110)具有基于间隙氧的热施主浓度，所述热施主浓度不同于所述p掺杂区域(120)的热施主浓度；以及‑所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)由电隔离区域(130)彼此分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
