[发明专利]静电保护元件以及发光模块在审
申请号: | 201480025922.6 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN105210179A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 渡边君则;佐藤诚一;渡边俊哉;大川忠行;荒木圣人;山本悌二 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/861;H01L29/866;H01L29/868;H01L33/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;田军锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及静电保护元件以及发光模块。静电保护元件(10)具备由高电阻的半导体材料构成的基体(20)。在基体(20)的第一主面沿第一方向空出间隔形成有外部连接用焊盘(22、23)。在基体(20)的第一主面通过半导体工艺而形成二极管部(30)。二极管部(30)沿第一方向被形成在外部连接用焊盘(22、23)的形成区域之间。高浓度区域(40)与基体(20)的极性相同,是比基体(20)更多包含杂质的区域。高浓度区域(40)在俯视基体(20)时是环状,且以包围二极管部(30)的形状形成。 | ||
搜索关键词: | 静电 保护 元件 以及 发光 模块 | ||
【主权项】:
一种静电保护元件,具备:基体,由半导体材料构成;以及二极管部,在所述基体的第一主面侧通过半导体工艺形成,所述基体具有通过从外部施加的电压、热处理而形成导电型反转层的电阻率,所述静电保护元件具备高浓度区域,该高浓度区域在从所述第一主面侧俯视所述基体时以包围所述二极管部的方式被形成,并且为从所述第一主面向所述基体的内部延伸的形状,该高浓度区域具有与所述基体相同的导电型,该高浓度区域与所述基体相比杂质浓度高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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