[发明专利]半导体装置

摘要

公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一栅电极层；在所述第一栅电极层上并与其接触的第一栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层上的第一氧化物层；所述第一氧化物层上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第二氧化物层；与所述氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层；所述源电极层及所述漏电极层上的第二栅极绝缘层；隔着所述第二栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的第二栅电极层；以及覆盖所述源电极层、所述漏电极层及所述第二栅电极层的保护绝缘层，其中，所述第一栅极绝缘层及所述保护绝缘层都包括氧化铝膜，所述第一栅极绝缘层与所述保护绝缘层在所述源电极层、所述漏电极层及所述第二栅电极层不存在的区域中彼此接触，所述第二栅电极层覆盖所述氧化物半导体层的沿沟道宽度方向的两个侧面，所述第一氧化物层、所述氧化物半导体层及所述第二氧化物层的每一个包含铟、镓及锌，所述第一氧化物层具有比所述氧化物半导体层高的镓的原子比，并且，所述第二氧化物层具有比所述氧化物半导体层高的镓的原子比。