[发明专利]包含氮杂取代的氧化膦基质和金属盐的半导体材料

摘要

本发明涉及具有提高的电性质的半导体材料，其包含金属阳离子的至少一种盐或络合物和氮杂取代的(aza‑substituted)氧化膦化合物，和涉及适合于该有机半导体材料的化合物和利用所述半导体材料的提高的电性质的电子器件。

主权项

一种半导体材料，其包含金属阳离子的至少一种盐或络合物和根据式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30杂烷基、C6‑C30芳基、C2‑C30杂芳基、C1‑C30烷氧基、C3‑C30环烷氧基、C6‑C30芳氧基，和选自具有通式E‑A‑的结构单元，其中A为含有带有孤电子对的三价氮原子的间隔子单元，其中所述间隔子单元具有允许与所述金属阳离子形成5元、6元或7元螯合环的结构，其中所述螯合环包含氧化膦基团的氧原子和所述间隔子单元的配位至所述金属阳离子的三价氮原子，并且E为包含至少10个离域电子的共轭体系的电子传输单元，并且至少一个选自R1、R2和R3中的基团具有通式E‑A‑，其中在所述至少一个选自R1、R2和R3中的基团中的电子传输单元E选自联苯、联噻吩、苯基噻吩、苯基吡啶以及选自具有2至5个稠合芳族环的芳族或杂芳族骨架。