[发明专利]振动装置有效
| 申请号： | 201480026898.8 | 申请日： | 2014-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN105210295B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 西村俊雄;长谷贵志;竹山佳介;开田弘明;梅田圭一;岸武彦;山田宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 振动 装置 | ||
【主权项】：
一种振动装置，该振动装置具备基部以及一端与所述基部连接并向Y方向延伸的多个音叉臂，所述多个音叉臂在与所述Y方向正交的X方向并排，并且所述音叉臂在与所述X方向以及Y方向正交的Z方向弯曲振动，所述音叉臂包含由简并半导体构成的Si层、氧化硅层、压电体层、以及对所述压电体层施加电压的第一、第二电极，在将所述Si层的厚度的总和设为T1、将所述氧化硅层的厚度的总和设为T2、将未设置有所述氧化硅层的情况下的所述振动装置的频率温度系数设为x时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围，该x的单位是ppm/K。
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