[发明专利]用于垂直场效应器件的温度补偿的器件架构和方法在审
| 申请号： | 201480027352.4 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105393362A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | T.E.哈林顿 | 申请（专利权）人： | D3半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种提供接通电阻根据结温度变化减小的场效应器件。具有源结、栅结和漏结的场效应器件包括邻近于漏结的电阻薄膜，其中，该电阻薄膜包括具有电阻负温度系数的材料。该材料选自由掺杂的多晶硅、非晶硅、硅铬和硅镍所组成的组的一个或多个材料，其中，诸如厚度和掺杂水平之类的材料性质被选择，以产生用于场效应器件的期望电阻和温度分布。与用于没有电阻薄膜的类似场效应器件的温度变化相比，减小了用于所公开的场效应器件的接通电阻的温度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 场效应 器件 温度 补偿 架构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基底；垂直场效应器件，具有漏区，构造于所述基底上；以及负温度系数电阻器，其邻近于所述漏区。
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