[发明专利]在钝化层或蚀刻停止层中具有插入物的TFT有效
| 申请号： | 201480027889.0 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105229794B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | Y·叶;H·尤 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文所公开的实施例大体涉及具有一个或多个沟槽的薄膜晶体管及其制造方法，所述一个或多个沟槽用于控制阈值电压与关态电流。在一个实施例中，半导体器件可包括：基板，所述基板包括表面，所述表面具有形成于其上的薄膜晶体管；第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述薄膜晶体管上方；沟槽，所述沟槽形成在所述第一钝化层内；以及第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述第一钝化层上方并且形成在所述沟槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 蚀刻 停止 具有 插入 tft | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板，所述基板包括表面，所述表面具有形成于所述表面上的薄膜晶体管；第一钝化层，所述第一钝化层形成在所述薄膜晶体管上方，所述第一钝化层具有沟槽，所述沟槽穿过所述第一钝化层而形成；以及第二钝化层，所述第二钝化层形成在所述第一钝化层上方并且形成在所述沟槽内，其中所述沟槽具有从约1微米至约3微米的宽度。
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