[发明专利]富勒烯衍生物和n型半导体材料在审
| 申请号： | 201480028220.3 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN105209433A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 永井隆文;足达健二;安苏芳雄;家裕隆;辛川诚 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C07D209/70 | 分类号： | C07D209/70;C07D409/04;C07D417/04;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;王磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明涉及式(1)所示的富勒烯衍生物。[式中，R1a和R1b相同或不同，表示氢原子或氟原子，R1c和R1d相同或不同，表示氢原子、氟原子、烷基、烷氧基、酯基或氰基，R2表示(1)可以取代有选自氟原子、烷基、烷氧基、酯基和氰基中的1个以上的取代基的苯基或者(2)可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基，且环A表示富勒烯环。其中，R1a、R1b、R1c和R1d为氢原子时，R2为取代有1或2个氟原子的苯基或可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基。]式(1)： |
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| 搜索关键词： | 富勒烯 衍生物 半导体材料 | ||
【主权项】：
一种式(1)所示的富勒烯衍生物：式(1)：![]()
式中，R1a和R1b相同或不同，表示氢原子或氟原子，R1c和R1d相同或不同，表示氢原子、氟原子、可以取代有1个以上的氟原子的烷基、可以取代有1个以上的氟原子的烷氧基、酯基或氰基，R2表示(1)可以取代有选自氟原子、烷基、烷氧基、酯基和氰基中的1个以上的取代基的苯基；(2)可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基；或(3)烷基、烷氧基、醚基、酰基、酯基或氰基，且环A表示富勒烯环，其中，R1a、R1b、R1c和R1d为氢原子时，R2为取代有1或2个氟原子的苯基或可以取代有1～3个甲基的5元杂芳基。
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