[发明专利]包括用于顶侧和侧壁保护的模塑的半导体器件在审
| 申请号： | 201480028867.6 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105229784A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | R·T·欧法拉度;L·A·凯瑟;J·徐 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实现提供了一种半导体器件，其包括基板、耦合到该基板的数个金属层和介电层，以及耦合到该数个金属层之一的焊盘。该半导体器件还包括耦合到该焊盘的第一金属层以及耦合到该第一金属重分布层的凸块下金属化层。该半导体器件进一步包括覆盖该半导体器件的第一表面并覆盖该半导体器件的至少侧部的模塑层。在一些实现中，该模塑层是环氧树脂层。在一些实现中，该半导体器件的第一表面是该半导体器件的顶侧。在一些实现中，该模塑层覆盖了该半导体器件的该至少侧部，从而该数个金属层和介电层中的至少一者的侧部被用该模塑层覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 用于 侧壁 保护 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；耦合到所述基板的多个金属层和介电层；耦合到所述多个金属层之一的焊盘；耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；以及覆盖所述半导体器件的第一表面并覆盖所述半导体器件的至少侧部的模塑层。
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