[发明专利]贴合晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201480028918.5 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105264641B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 石塚徹;小林德弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种贴合晶圆的制造方法，其从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种的气体离子来形成离子注入层，将所述接合晶圆的已离子注入的表面与基底晶圆的表面直接或隔着绝缘膜贴合后，以所述离子注入层为界使接合晶圆剥离，由此来制作在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，该贴合晶圆的制造方法的特征在于，具有对剥离所述接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理，在由所述保持开始温度至所述保持结束温度为止的保持时间中，伴随有温度下降但不伴随有温度上升。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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