[发明专利]异质结场效应晶体管

摘要

异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。

主权项

一种异质结场效应晶体管，其特征在于，包括：具有异质结的GaN类层叠体(5)；在所述GaN类层叠体(5)上呈手指状相互平行地形成的多个漏极电极(11、61)；在所述GaN类层叠体(5)上，以在所述多个漏极电极(11、61)的排列方向上与所述多个漏极电极(11、61)交替地排列的方式，呈手指状相互平行地形成的多个源极电极(12、62)；在俯视时，在所述漏极电极(11、61)与所述源极电极(12、62)之间分别形成的栅极电极(13)；在所述GaN类层叠体(5)上，以覆盖所述源极电极(12、62)、所述漏极电极(11、61)和所述栅极电极(13)的方式形成的层间绝缘膜(8)；形成在所述各源极电极(12、62)的至少一部分区域上并且形成在所述层间绝缘膜(8)中，且在所述源极电极(12、62)的长边方向上延伸的第1接触部(20a、70a)；和形成在所述各漏极电极(11、61)的至少一部分区域上并且形成在所述层间绝缘膜(8)中，且在所述漏极电极(11、61)的长边方向上延伸的第2接触部(15a、65a)，所述第1接触部(20a、70a)的长边方向的长度比所述源极电极(12、62)的长边方向的长度短，所述第2接触部(15a、65a)的长边方向的长度比所述漏极电极(11、61)的长边方向的长度短，在所述各漏极电极(11、61)，从所述第2接触部(15a、65a)的端(17A、17B、67A、67B)至比所述第2接触部(15a、65a)靠外侧的所述漏极电极(11、61)的端(11A、11B、61A、61B)的距离X，比从所述第1接触部(20a、70a)的端(18A、18B、68A、68B)至比所述第1接触部(20a、70a)靠外侧的所述源极电极(12、62)的端(12A、12B、62A、62B)的各个距离Y长，所述第2接触部(15a、65a)的长边方向的长度比所述第1接触部(20a、70a)的长边方向的长度短，在沿着与所述第1接触部(20a、70a)的长边方向平行的方向看时，所述第2接触部(15a、65a)的两端(17A、17B、67A、67B)与所述第1接触部(20a、70a)的两端(18A、18B、68A、68B)相比位于内侧，所述源极电极(12、62)的长边方向的长度(L2)比所述漏极电极(11、61)的长边方向的长度(L1)短，在沿着与所述漏极电极(11、61)的长边方向平行的方向看时，所述源极电极(12、62)的两端(12A、12B、62A、62B)与所述漏极电极(11、61)的两端(11A、11B、61A、61B)相比位于内侧。