[发明专利]耐用的非晶硅阳极、具有非晶硅阳极的可再充电电池及相关方法在审
| 申请号： | 201480030738.0 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105229826A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | Z.陈;D.S.加纳;B.K.蒙;Y.刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/38;H01M10/052 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于具有增强的结构稳定性的可再充电电池的非晶硅阳极电极和装置。非晶硅阳极能够包含导电衬底和沉积在衬底上的电极层，其中电极层由一个或多个非晶硅结构组成，并且非晶硅结构具有小于或等于大约500nm的至少一个尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 耐用 非晶硅 阳极 具有 充电电池 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种用于具有增强的结构稳定性的可再充电电池的阳极装置，包括导电衬底；沉积在衬底上的电极层，电极层由一个或多个非晶硅结构组成，非晶硅结构具有小于或等于大约500 nm的至少一个尺寸。
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