[发明专利]具有涂布的压电层的超声波接收器有效
申请号: | 201480031627.1 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN105264545B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 杰克·康维·凯琴斯二世;约翰·基思·施奈德;史蒂芬·麦克·哥捷维克 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00;B06B1/06 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供与用于检测在超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量的超声波接收器相关的系统、方法和设备。所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路阵列,所述阵列中的每一像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件并且具有电耦合到所述像素电路的像素输入电极。通过形成压电层以便与所述像素输入电极电接触而制造所述超声波接收器。形成所述压电层包含将含有聚合物的溶液涂布到所述像素电路阵列上,使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层,以及使所述结晶聚合物层成极。 | ||
搜索关键词: | 具有 压电 超声波 接收器 | ||
【主权项】:
1.一种设备,其包括:/n超声波接收器,用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量,所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列,其中通过如下操作制造所述超声波接收器:/n将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上,所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极;/n使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层;以及/n执行成极工艺,其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触;以及/n沉积在所述压电层上的接收器偏置电极,其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。/n
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