[发明专利]形成具有势垒层中的金属接触的晶体管的方法有效
| 申请号： | 201480031743.3 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN105324846B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | Y·近藤;S·和田;H·山崎;M·岩本 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/338;H05K3/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;王爽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用第一气体组合和第二气体组合在III‑N族HEMT的势垒层(118)中蚀刻金属接触开口(132)，第一气体组合向下蚀刻到势垒层(118)中，第二气体组合进一步向下蚀刻到势垒层(118)中达位于沟道层(116)的顶表面上方的深度，沟道层(116)的顶表面接触势垒层(118)并位于势垒层(118)下方。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 势垒层 中的 金属 接触 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成高电子迁移率晶体管的方法，其包括：利用第一气体组合蚀刻层状结构从而形成数个金属接触开口，所述层状结构包括接触衬底并位于所述衬底上方的缓冲层、接触所述缓冲层并位于所述缓冲层上方的沟道层、以及接触所述沟道层并位于所述沟道层上方的势垒层，每个所述金属接触开口都具有位于所述沟道层的顶表面上方并与所述沟道层的顶表面间隔开的第一底表面；以及利用第二气体组合蚀刻所述层状结构，从而加深每个金属接触开口的所述第一底表面一距离到达第二底表面，所述第二底表面位于所述第一底表面下方，所述第二底表面位于所述沟道层的所述顶表面上方并与所述沟道层的所述顶表面间隔开，其中所述第二气体组合比所述第一气体组合蚀刻更多的所述势垒层，并且其中所述第一气体组合也蚀刻通过接触所述势垒层并位于所述势垒层上方的覆盖层，并且蚀刻通过接触所述覆盖层并位于所述覆盖层上方的钝化层，所述覆盖层包含GaN，所述钝化层包含氮化硅。
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