[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201480032021.X | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105264667B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 竹内有一;铃木巨裕;森本淳;副岛成雅 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 碳化硅半导体装置具备纵型MOSFET，该纵型MOSFET具有包括高浓度杂质层(1)和漂移层(2)的半导体基板、基极区(3)、源极区(4)、沟槽栅构造、源极电极(9)和漏极电极(10)。所述基极区为：高浓度基极区(3a)以及与所述高浓度基极区相比第二导电型杂质浓度更低的低浓度基极区(3b)层叠。所述高浓度基极区以及所述低浓度基极区与所述沟槽的侧面相接。 | ||
| 搜索关键词： | 基极区 碳化硅半导体装置 纵型 高浓度杂质层 半导体基板 导电型杂质 漏极电极 源极电极 沟槽栅 漂移层 源极区 侧面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，具备纵型MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，该纵型MOSFET具有：半导体基板，由第一导电型的碳化硅构成，在背面侧具有高浓度杂质层(1)，在正面侧具有与所述高浓度杂质层相比被设为低杂质浓度的漂移层(2)；基极区(3)，由在所述漂移层(2)上形成的碳化硅构成；源极区(4)，在所述基极区的上层部形成，由与所述漂移层相比为高杂质浓度的第一导电型的碳化硅构成；沟槽栅构造，具有从所述源极区的表面形成到比所述基极区更深的沟槽(6)、在所述沟槽的内壁面形成的栅极绝缘膜(7)、以及在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极(8)；源极电极(9)，与所述源极区电连接；以及漏极电极(10)，与所述半导体基板的背面侧的所述高浓度杂质层电连接；所述基极区为：第二导电型的高浓度基极区(3a)以及与所述高浓度基极区相比第二导电型杂质浓度低的低浓度基极区(3b)层叠，所述高浓度基极区以及所述低浓度基极区与所述沟槽的侧面相接，所述低浓度基极区是既没有掺杂第一导电型杂质也没有掺杂第二导电型杂质的层。
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