[发明专利]具有铁电场效应晶体管存储器阵列的设备及相关方法有效
| 申请号： | 201480033124.8 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN105308751B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米;亚当·D·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种设备包括场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述FET结构与所述栅极。个别铁电FET FeFET形成于所述FET结构、所述栅极及所述铁电材料的相交点处。另一设备包括多个位线及字线。每一位线具有与铁电材料耦合的至少两个侧，使得每一位线由相邻栅极共享以形成多个FeFET。一种操作存储器阵列的方法包括将电压的组合施加到多个字线及数字线以用于多个FeFET存储器单元的所要操作，至少一个数字线使多个FeFET存储器单元可由相邻栅极存取。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电场 效应 晶体管 存储器 阵列 设备 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，其包括：多个场效应晶体管FET结构，其水平地及垂直地堆叠成三维存储器阵列架构；多个栅极，其在所述多个FET结构之间垂直地延伸且水平地隔开；及铁电材料，其分离所述多个FET结构与所述多个栅极，其中：多个铁电FET FeFET中的每个FeFET位于所述多个FET结构、所述多个栅极及所述铁电材料的相交点处；所述铁电材料由耦合到同一存取线且沿着包含不同FET结构的同一垂直FeFET堆叠延伸的FeFET共享。
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